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| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 5+ | ¥74.79 (¥82.269) |
| 50+ | ¥32.57 (¥35.827) |
| 100+ | ¥28.52 (¥31.372) |
| 500+ | ¥28.05 (¥30.855) |
| 1500+ | ¥27.58 (¥30.338) |
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最小: 5
複数: 5
¥374 (¥411 税込み)
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製品概要
The PMV250EPEA is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver and high-side load switch.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- AEC-Q101 Qualified
- Up to 1kV ESD protection
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
1.5A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
480mW
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
ドレインソース 電圧 Vds
40V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.24ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.7V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000006