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|---|---|
| 1+ | ¥314.36 (¥345.796) |
| 10+ | ¥168.53 (¥185.383) |
| 50+ | ¥150.06 (¥165.066) |
| 100+ | ¥131.59 (¥144.749) |
| 250+ | ¥113.92 (¥125.312) |
| 500+ | ¥103.06 (¥113.366) |
| 1000+ | ¥87.83 (¥96.613) |
| 2500+ | ¥87.67 (¥96.437) |
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製品概要
The NCP5104DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to insure a proper drive of the high-side power switch.
- High and low drive outputs
- Up to VCC swing on input pins
- Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
- Matched propagation delays between both channels
- 1 Input with internal fixed dead time (520ns)
- Under VCC lockout (UVLO) for both channels
- Pin-to-Pin-compatible with industry standards
- Rugged and flexible design
- Robust design
- Low level input for micro-controller operation
- Up to 600V High voltage
- ±50V/ns dV/dt Immunity
- 250/500mA Output source/sink current capability
- 3.3 and 5V Input logic compatible
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハーフブリッジ
ピン 数
8ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
250mA
供給電圧 最小値
10V
動作温度 最小値
-
入力 遅延
85ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
絶縁
パワースイッチ タイプ
MOSFET
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
非反転
シンク電流
500mA
供給電圧 最大値
20V
動作温度 最大値
150°C
出力 遅延
35ns
能力
-
0
関連製品
3 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0001