ページを印刷
SCT30N120
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
830 在庫有り
さらに必要ですか?
830 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥2,840.45 (¥3,124.495) |
| 5+ | ¥2,794.38 (¥3,073.818) |
| 10+ | ¥2,748.3 (¥3,023.13) |
| 50+ | ¥2,702.22 (¥2,972.442) |
| 100+ | ¥2,656.14 (¥2,921.754) |
| 250+ | ¥2,610.06 (¥2,871.066) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥2,840 (¥3,124 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品概要
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
シングル
連続ドレイン電流 Id
40A
ドレインソース オン状態 抵抗
0.08ohm
ピン 数
3ピン
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2.6V
動作温度 最大値
200°C
0
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
HiP247
Rds(on) テスト 電圧
20V
電力損失
270W
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.008051