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LND150N8-G
パワーMOSFET, N チャネル, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥128.02 (¥140.822) |
| 25+ | ¥105.34 (¥115.874) |
| 100+ | ¥97.23 (¥106.953) |
| 2000+ | ¥95.29 (¥104.819) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥128 (¥141 税込み)
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製品概要
The LND150N8-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
30mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-89
Rds(on) テスト 電圧
0V
電力損失
1.6W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
500V
ドレインソース オン状態 抵抗
1000ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
-
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.004536