ページを印刷
PMV32UP,215
パワーMOSFET, P チャネル, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, 表面実装
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品概要
The PMV32UP is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
- 1.8V Drain-source ON-state resistance rated
- Very fast switching
- -55 to 150°C Junction temperature range
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
4A
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
510mW
動作温度 最大値
150°C
0
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.036ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
700mV
ピン 数
3ピン
能力
-
0
PMV32UP,215 の代替製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001