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FDN340P
パワーMOSFET, P チャネル, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, 表面実装
製品概要
The FDN340P is -20V single P channel 2.5V specified powerTrench MOSFET in SOT-23 package. This MOSFET is produced using PowerTrench process to minimize on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applicable at portable electronics, load switching, power management, battery charging circuits and DC to DC conversion.
- High performance trench technology for extremely low Rds(on)
- Low gate charge typically 7.2 nC
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Continuous drain current of -2A
- Power dissipation Pd of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
2A
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
Rds(on) テスト 電圧
4.5V
電力損失
500mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
20V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.07ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
800mV
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
FDN340P の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001