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STGD18N40LZT4
IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 ピン
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥249.54 (¥274.494) |
| 10+ | ¥191.21 (¥210.331) |
| 100+ | ¥182.41 (¥200.651) |
| 500+ | ¥173.61 (¥190.971) |
| 1000+ | ¥164.8 (¥181.28) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥250 (¥274 税込み)
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製品概要
The STGD18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
技術仕様
連続コレクタ電流
25A
電力損失
125W
トランジスタ ケース タイプ
TO-252 (DPAK)
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間飽和電圧
1.35V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
390V
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
表面実装
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000533