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FDMS3660S
デュアル MOSFET, N チャネル, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1300 µohm
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥240.16 (¥264.176) |
| 10+ | ¥186.13 (¥204.743) |
| 100+ | ¥175.62 (¥193.182) |
| 500+ | ¥165.11 (¥181.621) |
| 1000+ | ¥163.9 (¥180.29) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥240 (¥264 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号FDMS3660S
注文コード2322592
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル30V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）60A
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）60A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル1300µohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル1300µohm
トランジスタ ケース タイプパワー 56
ピン 数8ピン
電力損失 N チャンネル2.5W
電力損失 P チャンネル2.5W
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
60A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
1300µohm
ピン 数
8ピン
電力損失 P チャンネル
2.5W
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
60A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
1300µohm
トランジスタ ケース タイプ
パワー 56
電力損失 N チャンネル
2.5W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000113