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QED223
赤外線 エミッタ, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥81.02 (¥89.122) |
| 10+ | ¥55.47 (¥61.017) |
| 25+ | ¥51.53 (¥56.683) |
| 50+ | ¥47.58 (¥52.338) |
| 100+ | ¥43.63 (¥47.993) |
| 500+ | ¥43.06 (¥47.366) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥81 (¥89 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号QED223
注文コード2322566
技術データシート
ピーク 波長890nm
半強度の角度30°
ダイオード ケース形状T-1 3/4 (5mm)
放射強度 (Ie)25mW/Sr
上昇時間900ns
降下時間 tf800ns
順電流 If (AV)100mA
順電圧 VF 最大値1.7V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値100°C
自動車用適合規格-
製品 範囲-
0
0
製品概要
The QED223 is an 880nm Infrared Light Emitter Diode encapsulated in a clear purple tinted plastic package. It is suitable for use in medical electronics/devices, automation, test and measurement, building & home control.
- Chip material - AlGaAs
- QSD123/QSD124 matched photo sensor
- 30° Medium wide emission angle
- High output power
技術仕様
ピーク 波長
890nm
ダイオード ケース形状
T-1 3/4 (5mm)
上昇時間
900ns
順電流 If (AV)
100mA
動作温度 最小値
-40°C
自動車用適合規格
-
0
半強度の角度
30°
放射強度 (Ie)
25mW/Sr
降下時間 tf
800ns
順電圧 VF 最大値
1.7V
動作温度 最大値
100°C
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000327