ページを印刷
4N35SR2M
フォトカプラ, トランジスタ 出力, 1 チャネル, 表面実装 DIP, 6 ピン, 60 mA, 850 V, 100 %
製品概要
The 4N35SR2M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
技術仕様
チャネル数
1 チャネル
ピン 数
6ピン
絶縁 電圧
850V
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
0
フォトカプラ ケース スタイル
表面実装 DIP
順電流 If 最大値
60mA
CTR 最小
100%
製品 範囲
-
4N35SR2M の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.004536