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MMBT3904WT1G
バイポーラ (BJT) シングル トランジスタ, 汎用, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, 表面実装
製品概要
The MMBT3904WT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
連続コレクタ電流
200mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-323
ピン 数
3ピン
DC 電流利得 hFE 最小値
40hFE
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
40V
電力損失
150mW
トランジスタ 取付
表面実装
トランジション周波数
300MHz
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
MMBT3904WT1G の代替製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000032