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MMBTA56LT1G
バイポーラ (BJT) シングル トランジスタ, 汎用, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, 表面実装
製品概要
The MMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in a package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技術仕様
トランジスタ極性
PNP
連続コレクタ電流
500mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
ピン 数
3ピン
DC 電流利得 hFE 最小値
100hFE
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
80V
電力損失
225mW
トランジスタ 取付
表面実装
トランジション周波数
50MHz
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
MMBTA56LT1G の代替製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000154