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2N7002,215
パワーMOSFET, N チャネル, 60 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-23, 表面実装
製品概要
The 2N7002,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for logic level gate drive sources and high-speed line drivers.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
300mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
830mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
2N7002,215 の代替製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00001