ページを印刷
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
1,067 在庫有り
さらに必要ですか?
85 2-3 営業日以内に配達(SG 在庫)
982 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格(税込み) |
|---|---|
| 1+ | ¥471.53 (¥518.683) |
| 25+ | ¥453.7 (¥499.07) |
| 100+ | ¥435.88 (¥479.468) |
価格:それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥472 (¥519 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカーMICROCHIP
メーカー部品番号23LCV1024-I/SN
注文コード2291919
技術データシート
SRAM タイプ同期 SRAM
メモリ 密度1Mbit
メモリ構成128K x 8ビット
IC ケース/ パッケージSOIC
ピン 数8ピン
供給電圧 最小値2.5V
供給電圧 最大値5.5V
供給電圧 標準値-
クロック 周波数 最大値20MHz
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
0
0
製品概要
The 23LCV1024-I/SN is a 1Mb SPI Serial SRAM with battery backup and SDI interface. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) is supported if application needs faster data rates. The SRAM can be battery backed via the Vbat pin essentially making the SRAM non-volatile. The device also supports unlimited read and write cycles to the array.
- SPI-compatible bus interface - 20MHz clock rate, SPI/SDI mode
- Low-power CMOS technology
- 3mA at 3.6V, 20MHz Read current
- 4µA at +85°C Maximum standby current
- Unlimited read and write cycles
- Zero write time
- 32-byte page
- Battery-backed SRAM support via Vbat Pin, automatic switchover to Vbat
- Sequential mode reads and writes
- High reliability
技術仕様
SRAM タイプ
同期 SRAM
メモリ構成
128K x 8ビット
ピン 数
8ピン
供給電圧 最大値
5.5V
クロック 周波数 最大値
20MHz
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
メモリ 密度
1Mbit
IC ケース/ パッケージ
SOIC
供給電圧 最小値
2.5V
供給電圧 標準値
-
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
関連製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000175