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FDC6333C
デュアル MOSFET, 補足 N および P チャネル, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号FDC6333C
注文コード2251956
技術データシート
チャネル タイプ補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル30V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）2.5A
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.095ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル0.095ohm
トランジスタ ケース タイプSuperSOT
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル960mW
電力損失 P チャンネル960mW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
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製品概要
The FDC6333C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
0.095ohm
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
960mW
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.095ohm
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
電力損失 N チャンネル
960mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
FDC6333C の代替製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.099