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BSS138PS,115
デュアル MOSFET, N チャネル, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーNEXPERIA
メーカー部品番号BSS138PS,115
注文コード1972664
技術データシート
チャネル タイプN チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル60V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル-
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）320mA
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）-
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.9ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル-
トランジスタ ケース タイプSOT-363
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル420mW
電力損失 P チャンネル-
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力AEC-Q101
0
0
製品概要
The BSS138PS is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
-
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
-
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
-
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
60V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
320mA
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.9ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOT-363
電力損失 N チャンネル
420mW
動作温度 最大値
150°C
能力
AEC-Q101
0
関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Malaysia
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.004082