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TTC5200(Q)
バイポーラ (BJT) シングル トランジスタ, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥579.38 (¥637.318) |
| 10+ | ¥380.46 (¥418.506) |
| 100+ | ¥316.96 (¥348.656) |
| 500+ | ¥309.51 (¥340.461) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥579 (¥637 税込み)
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製品概要
The TTC5200 from Toshiba is a through hole NPN silicon transistor in TO-3P package with high collector voltage. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 230V
- Collector to base voltage of 230V
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (pd) is 150W
- Junction temperature of 150°C
- Current gain of 35 at 7A collector current
- Collector to emitter saturation voltage of 3V
- Collector to emitter breakdown voltage of 230V
技術仕様
トランジスタ極性
NPN
連続コレクタ電流
15A
トランジスタ ケース タイプ
TO-3PL
ピン 数
3ピン
DC 電流利得 hFE 最小値
80hFE
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
230V
電力損失
150W
トランジスタ 取付
スルーホール
トランジション周波数
30MHz
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
技術文書 (1)
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.015876