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IKW40N120H3FKSA1
IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 ピン
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| 5+ | ¥946.69 (¥1,041.359) |
| 10+ | ¥804.31 (¥884.741) |
| 50+ | ¥719.73 (¥791.703) |
| 100+ | ¥715.77 (¥787.347) |
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製品概要
The IKW40N120H3 is a 1200V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
技術仕様
連続コレクタ電流
40A
電力損失
483W
トランジスタ ケース タイプ
TO-247
動作温度 最大値
175°C
製品 範囲
-
0
コレクタ エミッタ間飽和電圧
2.4V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
1.2kV
ピン 数
3ピン
トランジスタ 取付
スルーホール
0
技術文書 (1)
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00542