ページを印刷
MMDT5451-7-F
バイポーラ トランジスタ アレイ, デュアル, 補足 NPN および PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
1,424 在庫有り
3,000 入荷予定あり。今すぐ在庫を予約できます。
25 2-3 営業日以内に配達(SG 在庫)
1399 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥53.56 (¥58.916) |
| 10+ | ¥32.62 (¥35.882) |
| 100+ | ¥20.49 (¥22.539) |
| 500+ | ¥14.66 (¥16.126) |
| 1000+ | ¥10.72 (¥11.792) |
| 5000+ | ¥8.51 (¥9.361) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥268 (¥295 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカーDIODES INC.
メーカー部品番号MMDT5451-7-F
注文コード1773648
技術データシート
トランジスタ極性補足 NPN および PNP
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN160V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP160V
連続コレクタ電流 NPN200mA
連続コレクタ電流 PNP200mA
電力損失 NPN200mW
電力損失 PNP200mW
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN80hFE
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP80hFE
トランジスタ ケース タイプSOT-363
ピン 数6ピン
トランジスタ 取付表面実装
動作温度 最大値150°C
トランジション周波数 NPN300MHz
トランジション周波数 PNP300MHz
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The MMDT5451-7-F is a NPN-PNP complementary small signal Bipolar Transistor Array ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Complementary pair (5551 - NPN and 5401 - PNP)
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
トランジスタ極性
補足 NPN および PNP
コレクタ エミッタ間電圧（最大）PNP
160V
連続コレクタ電流 PNP
200mA
電力損失 PNP
200mW
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP
80hFE
ピン 数
6ピン
動作温度 最大値
150°C
トランジション周波数 PNP
300MHz
能力
-
0
コレクタ エミッタ間電圧（最大）NPN
160V
連続コレクタ電流 NPN
200mA
電力損失 NPN
200mW
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN
80hFE
トランジスタ ケース タイプ
SOT-363
トランジスタ 取付
表面実装
トランジション周波数 NPN
300MHz
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000006