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IRF3205PBF
パワーMOSFET, N チャネル, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥224.36 (¥246.796) |
| 10+ | ¥127.14 (¥139.854) |
| 100+ | ¥123.09 (¥135.399) |
| 500+ | ¥110.78 (¥121.858) |
| 1000+ | ¥94.26 (¥103.686) |
| 5000+ | ¥89.9 (¥98.89) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥224 (¥247 税込み)
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製品概要
The IRF3205PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Advanced HEXFET® power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Fast switching
- ±20V gate-source voltage
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
110A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220AB
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
200W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
55V
ドレインソース オン状態 抵抗
8000µohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
HEXFET Series
0
IRF3205PBF の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002041