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FDC6333C..
デュアル MOSFET, 補足 N および P チャネル, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm
製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号FDC6333C..
注文コード1700671
技術データシート
チャネル タイプ補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル30V
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）2.5A
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル0.095ohm
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル0.095ohm
トランジスタ ケース タイプSuperSOT
ピン 数6ピン
電力損失 N チャンネル960mW
電力損失 P チャンネル960mW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The FDC6333C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converter, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- Small footprint
- Low profile
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技術仕様
チャネル タイプ
補足 N および P チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
0.095ohm
ピン 数
6ピン
電力損失 P チャンネル
960mW
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
2.5A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.095ohm
トランジスタ ケース タイプ
SuperSOT
電力損失 N チャンネル
960mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
技術文書 (1)
FDC6333C.. の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002