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NTR4003NT1G
パワーMOSFET, N チャネル, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, 表面実装
製品概要
The NTR4003NT1G is a N-channel Small-signal MOSFET offers 30V drain source voltage and 0.5A continuous drain current. It is suitable for notebooks used as level shifters, logic switches and low side load switches.
- Low gate voltage threshold VGS (th) to facilitate drive circuit design
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- SOT-23 Package provides excellent thermal performance
- Minimum breakdown voltage rating of 30V
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
560mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
4V
電力損失
830mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
30V
ドレインソース オン状態 抵抗
1.5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
NTR4003NT1G の代替製品
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関連製品
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000073