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MMBFJ309LT1G
JFET トランジスタ, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 ピン, 150 °C
製品概要
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
技術仕様
ゲート ソース 耐圧 最大値
-25V
ゲート ソース カットオフ電圧 最大値
-4V
ピン 数
3 ピン
チャネル タイプ
N チャネル
製品 範囲
-
0
ゼロ・ゲート電圧ドレイン電流 最大値
30mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
動作温度 最大値
150°C
トランジスタ 取付
表面実装
能力
AEC-Q101
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001058