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BSS138LT1G
パワーMOSFET, N チャネル, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, 表面実装
製品概要
BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ± 20V
- Continuous drain current (Id) of 200mA
- Power dissipation (pd) of 225mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
200mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
5V
電力損失
225mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
50V
ドレインソース オン状態 抵抗
3.5ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
1.5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
BSS138LT1G の代替製品
8 見つかった製品
関連製品
4 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000008