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BSS84LT1G
パワーMOSFET, P チャネル, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, 表面実装
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥19.91 (¥21.901) |
| 50+ | ¥17.15 (¥18.865) |
| 100+ | ¥14.38 (¥15.818) |
| 500+ | ¥11.38 (¥12.518) |
| 1500+ | ¥11.16 (¥12.276) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥100 (¥110 税込み)
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製品概要
The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
130mA
トランジスタ ケース タイプ
SOT-23
Rds(on) テスト 電圧
5V
電力損失
225mW
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
50V
ドレインソース オン状態 抵抗
10ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
2V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000032