ページを印刷
FDS8949
デュアル MOSFET, N チャネル, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
製品概要
The FDS8949 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
-
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
-
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
8ピン
電力損失 P チャンネル
-
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
40V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
6A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.029ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
電力損失 N チャンネル
2W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
FDS8949 の代替製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000111