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STP8NK100Z
パワーMOSFET, N チャネル, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, スルーホール
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥841.21 (¥925.331) |
| 10+ | ¥460 (¥506) |
| 100+ | ¥442.67 (¥486.937) |
| 500+ | ¥345.95 (¥380.545) |
| 1000+ | ¥333.18 (¥366.498) |
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最小: 1
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アイテムのメモ
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製品概要
The STP8NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Improved ESD capability
- Very low intrinsic capacitance
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
6.5A
トランジスタ ケース タイプ
TO-220
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
160W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
1kV
ドレインソース オン状態 抵抗
1.85ohm
トランジスタ 取付
スルーホール
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
3.75V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.008165