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FDS6912A
デュアル MOSFET, N チャネル, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥105.98 (¥116.578) |
| 50+ | ¥89.46 (¥98.406) |
| 100+ | ¥72.93 (¥80.223) |
| 500+ | ¥58.99 (¥64.889) |
| 1000+ | ¥54.62 (¥60.082) |
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最小: 5
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製品概要
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
-
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
-
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
8ピン
電力損失 P チャンネル
-
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
30V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
6A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.019ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
電力損失 N チャンネル
1.6W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Philippines
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000223