ページを印刷
FCB20N60
パワーMOSFET, N チャネル, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面実装
1,190 在庫有り
さらに必要ですか?
80 2-3 営業日以内に配達(SG 在庫)
1110 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥437.15 (¥480.865) |
| 10+ | ¥377.13 (¥414.843) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥437 (¥481 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品概要
The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
- 100% avalanche tested
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
連続ドレイン電流 Id
20A
トランジスタ ケース タイプ
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
208W
動作温度 最大値
150°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
600V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.19ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
5V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
-
0
技術文書 (1)
FCB20N60 の代替製品
4 見つかった製品
関連製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:United States
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠Y-Ex
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.001458