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画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
製品情報
メーカーNEXPERIA
メーカー部品番号BC847BPN,115
注文コード1081233
技術データシート
トランジスタ極性NPN, PNP
コレクタ エミッタ間電圧(最大)NPN45V
コレクタ エミッタ間電圧(最大)PNP45V
連続コレクタ電流 NPN100mA
連続コレクタ電流 PNP100mA
電力損失 NPN-
電力損失 PNP220mW
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN200hFE
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP200hFE
トランジスタ ケース タイプSC-88
ピン 数6ピン
トランジスタ 取付表面実装
動作温度 最大値150°C
トランジション周波数 NPN100MHz
トランジション周波数 PNP100MHz
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
The BC847BPN from NXP is a surface mount NPN/PNP general purpose transistor in SOT-363 (SC-88) package. This transistor is characterized with low collector capacitance, low collector to emitter saturation voltage and closely matched current gain. It reduces number of components, reduces board space and there is no mutual interference between transistors. BC847BPN suitable for general purpose switching and amplification.
- Collector to emitter voltage is 45V
- Collector current (Ic) is 100mA
- Current gain of 200 at VCE 5V
- Power dissipation (Pd) is 250mW per transistor
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C
- Collector emitter saturation voltage of 300mV at 100mA collector current
- Transition frequency of 100MHz
技術仕様
トランジスタ極性
NPN, PNP
コレクタ エミッタ間電圧(最大)PNP
45V
連続コレクタ電流 PNP
100mA
電力損失 PNP
220mW
DC 電流利得 hFE 最小値 PNP
200hFE
ピン 数
6ピン
動作温度 最大値
150°C
トランジション周波数 PNP
100MHz
能力
-
0
コレクタ エミッタ間電圧(最大)NPN
45V
連続コレクタ電流 NPN
100mA
電力損失 NPN
-
DC 電流利得 hFE 最小値 NPN
200hFE
トランジスタ ケース タイプ
SC-88
トランジスタ 取付
表面実装
トランジション周波数 NPN
100MHz
製品 範囲
-
0
BC847BPN,115 の代替製品
2 見つかった製品
関連製品
2 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Niger
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Niger
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000006