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製品情報
メーカー部品番号IS61LV5128AL-10TLI
注文コード1077676
技術データシート
SRAM タイプ非同期 SRAM
メモリ 密度4Mbit
メモリ構成512K x 8ビット
IC ケース/ パッケージTSOP
ピン 数44ピン
供給電圧 最小値3.135V
供給電圧 最大値3.63V
供給電圧 標準値3.3V
クロック 周波数 最大値-
IC 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
0
0
製品概要
The IS61LV5128AL-10TLI is a 512K x 8 very high-speed low power high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized by 524288-word by 8-bit. The IS61LV5128AL is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 250µW typical with CMOS input levels. The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible.
- High-speed access times - 10ns
- High-performance, low-power CMOS process
- Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with CE and OE
- CE Power-down
- Fully static operation: no clock or refresh required
- TTL compatible inputs and outputs
- Single 3.3V power supply
技術仕様
SRAM タイプ
非同期 SRAM
メモリ構成
512K x 8ビット
ピン 数
44ピン
供給電圧 最大値
3.63V
クロック 周波数 最大値
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
メモリ 密度
4Mbit
IC ケース/ パッケージ
TSOP
供給電圧 最小値
3.135V
供給電圧 標準値
3.3V
IC 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
0
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Taiwan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85423245
US ECCN:3A991.b.1.b.2
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000454