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BPW85C
フォト トランジスタ, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 ピン, T-1 (3mm)
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1588 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥105.96 (¥116.556) |
| 10+ | ¥65.35 (¥71.885) |
| 25+ | ¥60.61 (¥66.671) |
| 50+ | ¥56.08 (¥61.688) |
| 100+ | ¥51.33 (¥56.463) |
| 500+ | ¥45.36 (¥49.896) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥106 (¥117 税込み)
アイテムのメモ
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製品概要
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
技術仕様
波長 標準値
850nm
電力消費
100mW
トランジスタ ケース タイプ
T-1 (3mm)
自動車用適合規格
-
0
視角
25°
ピン 数
2ピン
製品 範囲
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Germany
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000215