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4N35M
フォトカプラ, トランジスタ 出力, 1 チャネル, DIP, 6 ピン, 60 mA, 7.5 kV, 100 %
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥108.02 (¥118.822) |
| 10+ | ¥58.75 (¥64.625) |
| 25+ | ¥56.28 (¥61.908) |
| 50+ | ¥54.01 (¥59.411) |
| 100+ | ¥51.54 (¥56.694) |
| 500+ | ¥42.26 (¥46.486) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥108 (¥119 税込み)
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製品概要
The 4N35-M is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.
- Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
- Isolation voltage of 4.17KVAC
- Forward current (If) of 60mA
- Single channel
- UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
技術仕様
チャネル数
1 チャネル
ピン 数
6ピン
絶縁 電圧
7.5kV
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
0
フォトカプラ ケース スタイル
DIP
順電流 If 最大値
60mA
CTR 最小
100%
製品 範囲
-
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Thailand
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.002177