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VISHAY SQW33N65EF-GE3

パワーMOSFET, N チャネル, 650 V, 34 A, 0.095 ohm, TO-247AD, スルーホール

VISHAY SQW33N65EF-GE3

画像は説明用のイメージです。製品説明をご参照ください。

製造業者:
VISHAY VISHAY
メーカー 部品番号:
SQW33N65EF-GE3
ご注文 コード:
3765828
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製品 範囲
E
技術データシート:
SQW33N65EF-GE3   データシート
ECAD / MCAD
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製品概要

E series power MOSFET with fast body diode is typically used in applications such as automotive on-board charger and automotive DC/DC converter.
  • Fast body diode MOSFET using E series technology
  • Reduced trr, Qrr, and IRRM
  • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
  • Low input capacitance (Ciss)
  • Low switching losses due to reduced Qr
  • 175°C operating temperature
  • AEC-Q101 qualified
  • Ultra low gate charge (Qg)
  • Avalanche energy rated (UIS)

製品情報

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:
N チャネル

:
650V

:
34A

:
0.095ohm

:
TO-247AD

:
スルーホール

:
10V

:
4V

:
375W

:
3ピン

:
175°C

:
E

:
AEC-Q101

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技術文書 (1)

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