VISHAY SI5517DU-T1-GE3

デュアル MOSFET, 補足 N および P チャネル, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm

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製造業者:

VISHAY VISHAY

メーカー 部品番号:

SI5517DU-T1-GE3

ご注文 コード:

3772766

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技術データシート:

SI5517DU-T1-GE3   データシート

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製品情報

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チャネル タイプ:

補足 N および P チャネル

ドレインソース電圧 Vds N チャンネル:

20V

ドレインソース電圧 Vds P チャンネル:

20V

連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）:

6A

連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）:

6A

ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル:

0.032ohm

ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル:

0.032ohm

トランジスタ ケース タイプ:

PowerPAK

ピン 数:

8ピン

電力損失 N チャンネル:

2.3W

電力損失 P チャンネル:

2.3W

動作温度 最大値:

150°C

製品 範囲:

Trench Series

能力:

-

:

0

MSL:

MSL 1 - Unlimited

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技術文書 (3)

• Technical Data Sheet EN
• EOL Notices EN
• Product Change Notice EN