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VISHAY SI3590DV-T1-GE3
デュアル MOSFET, 補足 N および P チャネル, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
- 製造業者:
- VISHAY VISHAY
- メーカー 部品番号:
- SI3590DV-T1-GE3
- ご注文 コード:
- 2056715
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- 技術データシート:
- SI3590DV-T1-GE3 データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
製品情報
技術文書 (3)
梱包形態
カット テープ
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- 5+
- 50+
- 100+
- 500+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 5+ | ¥107.07 (¥117.78) | ( ) |
| 50+ | ¥90.61 (¥99.67) | ( ) |
| 100+ | ¥74.15 (¥81.57) | ( ) |
| 500+ | ¥55.12 (¥60.63) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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