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TEXAS INSTRUMENTS UCC27511DBVR

ゲート ドライバー, 1 チャネル, ローサイド, IGBT, MOSFET, 6 ピン, SOT-23

TEXAS INSTRUMENTS UCC27511DBVR

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メーカー 部品番号:
UCC27511DBVR
ご注文 コード:
3005799
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製品概要

The UCC27511DBVR is a 1-channel High-speed Low-side Gate Driver that can effectively drive MOSFET and IGBT power switches. Using a design that inherently minimizes shoot-through current, UCC27511 is capable of sourcing and sinking high peak-current pulses into capacitive loads offering rail-to-rail drive capability and extremely small propagation delay, typically 13ns. UCC27511 features a dual-input design which offers flexibility of implementing both inverting (IN- pin) and non-inverting (IN+ pin) configuration with the same device. Either IN+ or IN- pin can be used to control the state of the driver output. The unused input pin can be used for enable and disable functions. For safety purpose, internal pull-up and pull-down resistors on the input pins ensure that outputs are held low when input pins are in floating condition. Hence the unused input pin is not left floating and must be properly biased to ensure that driver output is in enabled for normal operation.
  • 4A Peak source and 8A peak sink asymmetrical drive
  • Strong sink current offers enhanced immunity against miller turn-on
  • Fast propagation delays (13ns typical)
  • Fast rise and fall times (9ns and 7ns typical)
  • Outputs held low during VDD UVLO
  • TTL and CMOS compatible input-logic threshold (independent of supply voltage)
  • Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
  • Dual-input design (choice of an inverting (IN- pin)/non-inverting (IN+ pin) driver configuration)
  • Unused input pin can be used for enable or disable function
  • Output held low when input pins are floating
  • Input pin absolute maximum voltage levels not restricted by VDD pin bias supply voltage
  • Green product and no Sb/Br

注意事項

This device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

製品情報

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:
1チャネル

:
-

:
ローサイド

:
IGBT, MOSFET

:
6ピン

:
SOT-23

:
表面実装

:
Inverting, Non-Inverting

:
4A

:
8A

:
4.5V

:
18V

:
-40°C

:
140°C

:
-

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-

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-

:
-

:
0

:
MSL 1 - Unlimited
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技術文書 (1)

梱包形態 カット テープ

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