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STS8DN6LF6AG
デュアル MOSFET, N チャネル, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥304.06 (¥334.466) |
| 10+ | ¥192.3 (¥211.53) |
| 100+ | ¥129.03 (¥141.933) |
| 500+ | ¥126.06 (¥138.666) |
| 1000+ | ¥123.09 (¥135.399) |
| 5000+ | ¥120.11 (¥132.121) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥304 (¥334 税込み)
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製品概要
注意事項
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技術仕様
チャネル タイプ
N チャネル
ドレインソース電圧 Vds P チャンネル
60V
連続ドレイン電流 (Id P チャンネル）
8A
ドレインソース オン状態 抵抗 P チャンネル
-
ピン 数
8ピン
電力損失 P チャンネル
3.2W
製品 範囲
-
0
ドレインソース電圧 Vds N チャンネル
60V
連続ドレイン電流 (Id N チャンネル）
8A
ドレインソース オン状態 抵抗 N チャンネル
0.024ohm
トランジスタ ケース タイプ
SOIC
電力損失 N チャンネル
3.2W
動作温度 最大値
175°C
能力
AEC-Q101
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00035