ページを印刷
STD10P6F6
パワーMOSFET, P チャネル, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), 表面実装
65,094 在庫有り
さらに必要ですか?
65094 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 5+ | ¥239.96 (¥263.956) |
| 50+ | ¥154.29 (¥169.719) |
| 100+ | ¥102.3 (¥112.53) |
| 500+ | ¥73.68 (¥81.048) |
| 1000+ | ¥67.15 (¥73.865) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 5
複数: 5
¥1,200 (¥1,320 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカー部品番号STD10P6F6
注文コード2629745
製品ラインナップDeepGATE STripFET VI
技術データシート
チャネル タイプP チャネル
ドレインソース 電圧 Vds60V
連続ドレイン電流 Id10A
ドレインソース オン状態 抵抗0.16ohm
トランジスタ ケース タイプTO-252 (DPAK)
トランジスタ 取付表面実装
Rds(on) テスト 電圧10V
ゲート ソース 閾値電圧 最大値4V
電力損失35W
ピン 数3ピン
動作温度 最大値175°C
製品 範囲DeepGATE STripFET VI
能力-
0
0
製品概要
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
チャネル タイプ
P チャネル
連続ドレイン電流 Id
10A
トランジスタ ケース タイプ
TO-252 (DPAK)
Rds(on) テスト 電圧
10V
電力損失
35W
動作温度 最大値
175°C
能力
-
0
ドレインソース 電圧 Vds
60V
ドレインソース オン状態 抵抗
0.16ohm
トランジスタ 取付
表面実装
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
ピン 数
3ピン
製品 範囲
DeepGATE STripFET VI
0
STD10P6F6 の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000399