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STMICROELECTRONICS SCTW100N65G2AG
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
- メーカー 部品番号:
- SCTW100N65G2AG
- ご注文 コード:
- 3387273
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- 技術データシート:
- SCTW100N65G2AG データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥7,372.52 (¥8,109.77) | ( ) |
| 5+ | ¥6,450.96 (¥7,096.06) | ( ) |
| 10+ | ¥5,345.08 (¥5,879.59) | ( ) |
| 50+ | ¥4,792.14 (¥5,271.35) | ( ) |
| 100+ | ¥4,423.51 (¥4,865.86) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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