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STMICROELECTRONICS SCT50N120
炭化ケイ素 MOSFET, シングル, N チャネル, 65 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, HiP247
- メーカー 部品番号:
- SCT50N120
- ご注文 コード:
- 2849642
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- 技術データシート:
- SCT50N120 データシート
- ECAD / MCAD
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製品概要
SCT50N120 is a silicon carbide power MOSFET produced by exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. This feature renders the device perfectly suitable for high-efficiency and high power-density applications. Application includes solar inverters, UPS, motor drives, high voltage DC-DC converters, and switch mode power supplies.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
- Zero gate voltage drain current is 1µA (typ, VDS = 1200V, VGS = 0V, TCASE = 25°C)
- Gate threshold voltage is 3.0V (typ, VDS = VGS, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- Input capacitance is 1900pF (typ, VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- Total gate charge is 122nC (typ, VDD = 800V, ID = 40A, VGS = 0 to 20V)
- Gate input resistance is 1.9ohm (typ, f=1MHz open drain)
- HiP247™ package, operating junction temperature range from -55 to 200°C
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
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| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥4,345.11 (¥4,779.62) | ( ) |
| 5+ | ¥4,163.02 (¥4,579.32) | ( ) |
| 10+ | ¥3,980.93 (¥4,379.02) | ( ) |
| 50+ | ¥3,798.84 (¥4,178.72) | ( ) |
| 100+ | ¥3,616.75 (¥3,978.43) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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