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L6387ED013TR
MOSFET ドライバ, ハイサイド および ローサイド, 17V 電源, 650mA 出力, 105ns 遅延, SOIC-8
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アイテムのメモ
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製品情報
メーカー部品番号L6387ED013TR
注文コード3129682
技術データシート
チャネル数2チャネル
ゲートドライバ タイプ-
ドライバー 構成ハイサイド および ローサイド
パワースイッチ タイプMOSFET
ピン 数8ピン
IC ケース/ パッケージSOIC
IC 取付表面実装
入力 タイプ反転
電源電流400mA
シンク電流650mA
供給電圧 最小値-
供給電圧 最大値17V
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値125°C
入力 遅延110ns
出力 遅延105ns
製品 範囲-
能力-
0
0
製品概要
注意事項
市場における当製品に対する需要により、リードタイムが延長されました。納期は変動する場合がございます。割引対象外商品です。
技術仕様
チャネル数
2チャネル
ドライバー 構成
ハイサイド および ローサイド
ピン 数
8ピン
IC 取付
表面実装
電源電流
400mA
供給電圧 最小値
-
動作温度 最小値
-40°C
入力 遅延
110ns
製品 範囲
-
0
ゲートドライバ タイプ
-
パワースイッチ タイプ
MOSFET
IC ケース/ パッケージ
SOIC
入力 タイプ
反転
シンク電流
650mA
供給電圧 最大値
17V
動作温度 最大値
125°C
出力 遅延
105ns
能力
-
0
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.00035