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BSM400D12P3G002
炭化ケイ素 MOSFET, ハーフブリッジ, デュアル N チャネル, 400 A, 1.2 kV, モジュール
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製品情報
メーカーROHM
メーカー部品番号BSM400D12P3G002
注文コード3573231
技術データシート
MOSFET モジュール 構成ハーフブリッジ
チャネル タイプデュアル N チャネル
連続ドレイン電流 Id400A
ドレインソース 電圧 Vds1.2kV
ドレインソース オン状態 抵抗-
トランジスタ ケース タイプモジュール
ピン 数-
Rds(on) テスト 電圧-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値5.6V
電力損失1.57kW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
0
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
ハーフブリッジ
連続ドレイン電流 Id
400A
ドレインソース オン状態 抵抗
-
ピン 数
-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
5.6V
動作温度 最大値
150°C
0
チャネル タイプ
デュアル N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
Rds(on) テスト 電圧
-
電力損失
1.57kW
製品 範囲
-
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.28