ページを印刷
BSM400D12P2G003
炭化ケイ素 MOSFET, ハーフブリッジ, デュアル N チャネル, 400 A, 1.2 kV, モジュール
画像は説明用のものです。商品説明をご参照ください。
1 在庫有り
さらに必要ですか?
1 3-4 営業日以内に配達(UK 在庫)
| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥400,033.52 (¥440,036.872) |
価格：それぞれ
最小: 1
複数: 1
¥400,034 (¥440,037 税込み)
アイテムのメモ
この注文のみ、注文確認書、請求書、発送通知に追加されます。
製品情報
メーカーROHM
メーカー部品番号BSM400D12P2G003
注文コード3573228
技術データシート
MOSFET モジュール 構成ハーフブリッジ
チャネル タイプデュアル N チャネル
連続ドレイン電流 Id400A
ドレインソース 電圧 Vds1.2kV
ドレインソース オン状態 抵抗-
トランジスタ ケース タイプモジュール
ピン 数-
Rds(on) テスト 電圧-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値4V
電力損失2.45kW
動作温度 最大値150°C
製品 範囲-
0
製品概要
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
技術仕様
MOSFET モジュール 構成
ハーフブリッジ
連続ドレイン電流 Id
400A
ドレインソース オン状態 抵抗
-
ピン 数
-
ゲート ソース 閾値電圧 最大値
4V
動作温度 最大値
150°C
0
チャネル タイプ
デュアル N チャネル
ドレインソース 電圧 Vds
1.2kV
トランジスタ ケース タイプ
モジュール
Rds(on) テスト 電圧
-
電力損失
2.45kW
製品 範囲
-
技術文書 (1)
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:Japan
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.28