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ROHM BSM400D12P2G003
炭化ケイ素 MOSFET, ハーフブリッジ, デュアル N チャネル, 400 A, 1.2 kV, モジュール
- 製造業者:
- ROHM ROHM
- メーカー 部品番号:
- BSM400D12P2G003
- ご注文 コード:
- 3573228
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- 技術データシート:
- BSM400D12P2G003 データシート
- ECAD / MCAD
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製品概要
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
製品情報
技術文書 (1)
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| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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