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QRE1113GR
反射型 フォト インタラプタ, フォトトランジスタ, SMD ガルウィング, 5 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.2 Vf
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| 数量 | 価格（税込み） |
|---|---|
| 1+ | ¥169.08 (¥185.988) |
| 10+ | ¥110.77 (¥121.847) |
| 25+ | ¥102.61 (¥112.871) |
| 50+ | ¥94.45 (¥103.895) |
| 100+ | ¥86.28 (¥94.908) |
| 500+ | ¥75.53 (¥83.083) |
価格：各（カットテープで提供）
最小: 1
複数: 1
¥169 (¥186 税込み)
アイテムのメモ
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号QRE1113GR
注文コード1471020
技術データシート
感知方法反射
検出 距離 / スロット 幅-
供給電圧 最小値-
感知 距離5mm
供給電圧 最大値-
順電流 If50mA
逆電圧 Vr5V
センサ ケース / パッケージSMD, ガルウィング
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo30V
コレクタ エミッタ間電圧（最大）30V
順電圧1.2V
コレクタ 電流 IC 最大値20mA
センサ 出力 タイプフォト トランジスタ
IP 保護等級-
センサ 取付表面実装
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
能力-
0
製品概要
The QRE1113GR is a miniature Reflective Object Sensor with SMT gull wing.
- Phototransistor output
- No contact surface sensing
- Gull wing lead from style
注意事項
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術仕様
感知方法
反射
供給電圧 最小値
-
供給電圧 最大値
-
逆電圧 Vr
5V
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
順電圧
1.2V
センサ 出力 タイプ
フォト トランジスタ
センサ 取付
表面実装
動作温度 最大値
85°C
能力
-
検出 距離 / スロット 幅
-
感知 距離
5mm
順電流 If
50mA
センサ ケース / パッケージ
SMD, ガルウィング
コレクタ エミッタ間電圧（最大）
30V
コレクタ 電流 IC 最大値
20mA
IP 保護等級
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
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法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.000094