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|---|---|
| 1+ | ¥101.13 (¥111.243) |
| 10+ | ¥100.24 (¥110.264) |
| 25+ | ¥99.34 (¥109.274) |
| 50+ | ¥98.44 (¥108.284) |
| 100+ | ¥97.54 (¥107.294) |
| 500+ | ¥96.64 (¥106.304) |
価格:
最小: 1
複数: 1
¥101 (¥111 税込み)
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製品情報
メーカーONSEMI
メーカー部品番号QRE1113
注文コード2322565
技術データシート
感知方法反射
検出 距離 / スロット 幅-
供給電圧 最小値-
感知 距離1mm
順電流 If50mA
供給電圧 最大値-
逆電圧 Vr5V
センサ ケース / パッケージDIP
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo30V
コレクタ エミッタ間電圧(最大)30V
順電圧1.2V
コレクタ 電流 IC 最大値20mA
センサ 出力 タイプフォト トランジスタ
IP 保護等級-
センサ 取付スルーホール
動作温度 最小値-40°C
動作温度 最大値85°C
製品 範囲-
能力-
0
製品概要
The QRE1113 is a Miniature Reflective Object Sensor with photo transistor output. No contact surface sensing. Gull wing lead form. Through-hole 2lead form.
- -40 to 85°C Operating temperature
技術仕様
感知方法
反射
供給電圧 最小値
-
順電流 If
50mA
逆電圧 Vr
5V
コレクタ エミッタ間電圧 V(br)ceo
30V
順電圧
1.2V
センサ 出力 タイプ
フォト トランジスタ
センサ 取付
スルーホール
動作温度 最大値
85°C
能力
-
検出 距離 / スロット 幅
-
感知 距離
1mm
供給電圧 最大値
-
センサ ケース / パッケージ
DIP
コレクタ エミッタ間電圧(最大)
30V
コレクタ 電流 IC 最大値
20mA
IP 保護等級
-
動作温度 最小値
-40°C
製品 範囲
-
0
QRE1113 の代替製品
1 見つかった製品
法律および環境情報
生産国:
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
最後に重要な製造工程が行われた国生産国:China
最後に重要な製造工程が行われた国
関税番号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS指令 準拠はい
RoHS
RoHS フタル酸エステル 準拠:はい
RoHS
SVHC:0
製品コンプライアンス証明書のダウンロード
製品コンプライアンス証明書
重量 (kg):.0005