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ONSEMI NVMFD5C680NLT1G
デュアル MOSFET, N チャネル, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NVMFD5C680NLT1G
- ご注文 コード:
- 2835612
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- 技術データシート:
- NVMFD5C680NLT1G データシート
- ECAD / MCAD
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製品概要
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
製品情報
技術文書 (2)
梱包形態
カット テープ
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- 1+
- 10+
- 100+
- 500+
- 1500+
- 3000+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥299.40 (¥329.34) | ( ) |
| 10+ | ¥208.48 (¥229.33) | ( ) |
| 100+ | ¥147.35 (¥162.09) | ( ) |
| 500+ | ¥120.86 (¥132.95) | ( ) |
| 1500+ | ¥118.97 (¥130.87) | ( ) |
| 3000+ | ¥117.97 (¥129.77) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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