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ONSEMI NVMFD5C446NLT1G
デュアル MOSFET, N チャネル, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NVMFD5C446NLT1G
- ご注文 コード:
- 2835598
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- 技術データシート:
- NVMFD5C446NLT1G データシート
- ECAD / MCAD
-
製品概要
NVMFD5C446NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -5.2mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 2.2mohm typical at (VGS = 10V, ID = 20A)
- Input capacitance is 3170pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 7nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V; ID = 50A)
- Turn-on delay time is 14.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Rise time is 16.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
製品情報
技術文書 (1)
梱包形態
カット テープ
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- 1+
- 10+
- 100+
- 500+
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|---|---|
| 1+ | ¥578.81 (¥636.69) | ( ) |
| 10+ | ¥470.84 (¥517.92) | ( ) |
| 100+ | ¥396.26 (¥435.89) | ( ) |
| 500+ | ¥342.83 (¥377.11) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
|---|
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