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ONSEMI NVBG020N120SC1
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NVBG020N120SC1
- ご注文 コード:
- 3265484
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- 製品 範囲
- EliteSiC Series
- 技術データシート:
- NVBG020N120SC1 データシート
- ECAD / MCAD
-
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NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
製品情報
技術文書 (2)
梱包形態
カット テープ
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¥11,870.98
(
¥13,058.08
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- 価格:
- 各（カットテープで提供）
Multiple: 1 最小: 1
- 1+
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|---|---|---|
| 1+ | ¥11,870.98 (¥13,058.08) | ( ) |
| 数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格（消費税込み） |
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