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ONSEMI NTHL080N120SC1A
炭化ケイ素 MOSFET, EliteSiC, シングル, N チャネル, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
- 製造業者:
- ONSEMI ONSEMI
- メーカー 部品番号:
- NTHL080N120SC1A
- ご注文 コード:
- 3528502
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- 技術データシート:
- NTHL080N120SC1A データシート
製品範囲選択 (EliteSiC Series)
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- 100% UIL tested
- Drain-to-source on resistance is 80mohm typ (VGS = 20 V, ID = 20 A, TJ = 25°C)
- Total gate charge is 56nC typ (VGS = -5/20V, VDS = 600V, ID = 20A)
- Output capacitance is 80pF typ (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain-to-source diode forward current is 18A max (VGS = -5V, TJ = 25°C)
- Power dissipation is 178W (TC = 25°C), pulsed drain current is 132A (TA = 25°C)
- Gate resistance is 1.7ohm typ (f = 1MHz)
- Turn-on delay time is 13ns typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- Total switching loss is 311µJ typ (VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 20A, RG = 4.7, inductive load)
- TO-247-3LD package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
注意事項
製品情報
技術文書 (2)
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- 1+
- 5+
- 10+
- 50+
- 100+
- 250+
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
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1+ | ¥1,556.53 (¥1,712.18) | ( ) |
5+ | ¥1,462.61 (¥1,608.87) | ( ) |
10+ | ¥1,368.68 (¥1,505.55) | ( ) |
50+ | ¥1,274.76 (¥1,402.24) | ( ) |
100+ | ¥1,180.83 (¥1,298.91) | ( ) |
250+ | ¥1,086.90 (¥1,195.59) | ( ) |
数量 | 価格 (消費税込み) | お客様の価格(消費税込み) |
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